Nomor Produk Pabrikan:
SUD09P10-195-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SUD09P10-195-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Deskripsi Detail:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaris:
30863 Pcs Baru Asli Tersedia
12918447
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SUD09P10-195-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
SUD09
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,000
Nama lain
SUD09P10-195-GE3CT
SUD09P10-195-GE3TR
SUD09P10195GE3
SUD09P10-195-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SI3434DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
