SUG80050E-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SUG80050E-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SUG80050E-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Deskripsi Detail:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventaris:

2287 Pcs Baru Asli Tersedia
12965934
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SUG80050E-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
ThunderFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
150 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
7.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6250 pF @ 75 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
500W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SUG80050

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
500
Nama lain
SUG80050E-GE3TR-DG
SUG80050E-GE3DKRINACTIVE
SUG80050E-GE3TRINACTIVE
SUG80050E-GE3DKR-DG
SUG80050E-GE3CT
SUG80050E-GE3TR
SUG80050E-GE3CT-DG
SUG80050E-GE3DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

ISZ0602NLSATMA1

MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON

infineon-technologies

ISC0803NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON

infineon-technologies

ISZ0804NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON

infineon-technologies

ISZ0803NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON