Nomor Produk Pabrikan:
2N6661JTXP02
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
2N6661JTXP02-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Deskripsi Detail:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventaris:
13050300
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
2N6661JTXP02 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
-
Kemasan
Tube
Status Bagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
90 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
50 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-39
Paket / Kasus
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Nomor Produk Dasar
2N6661
Informasi Tambahan
Paket Standar
20
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
2N6661
PEMBUAT
Solid State Inc.
JUMLAH YANG TERSEDIA
6694
DiGi NOMOR BAGIAN
2N6661-DG
HARGA SATUAN
4.60
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF540STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK