Nomor Produk Pabrikan:
SIHH120N60E-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHH120N60E-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventaris:
13063202
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHH120N60E-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
E
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Status Bagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1600 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
156W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
SIHH120
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIHH120N60E-T1-GE3TR
SIHH120N60E-T1-GE3DKR
SIHH120N60E-T1-GE3CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIJ420DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK