SIRS4302DP-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SIRS4302DP-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIRS4302DP-T1-GE3-DG

Deskripsi:

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 87A (Ta), 478A (Tc) 6.9W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaris:

11964 Pcs Baru Asli Tersedia
13374108
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIRS4302DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Status Bagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
87A (Ta), 478A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
0.57mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10150 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
6.9W (Ta), 208W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SIRS4302

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SIRS4302DP-T1-GE3TR
742-SIRS4302DP-T1-GE3CT
742-SIRS4302DP-T1-GE3DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-

vishay

SIRS4301DP-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE