SQD100N03-3M2L_GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SQD100N03-3M2L_GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SQD100N03-3M2L_GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaris:

13061590
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SQD100N03-3M2L_GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Status Bagian
Last Time Buy
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6316 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
136W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
SQD100

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,000
Nama lain
SQD100N03-3M2L_GE3TR
SQD100N03-3M2L_GE3DKR
SQD100N03-3M2L_GE3CT
SQD100N03-3M2L_GE3-ND

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay

SI2343DS-T1

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

vishay

SUM60020E-GE3

MOSFET N-CH 80V 150A TO263

vishay

SUD50N06-07L-E3

MOSFET N-CH 60V 96A TO252

vishay

SI1469DH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6