Nomor Produk Pabrikan:
SIHB6N80E-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHB6N80E-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaris:
13006418
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHB6N80E-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
E
Kemasan
Tube
Status Bagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
827 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
78W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
SIHB6
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
STB7ANM60N
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
STB7ANM60N-DG
HARGA SATUAN
0.60
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
SIR124DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
SQP120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
